Samsung Foundry đang chuẩn bị công bố các quy trình sản xuất chip 3nm và 4nm cải tiến của mình tại Hội nghị chuyên đề VLSI 2023 vào tháng 6. Sự kiện sẽ diễn ra từ ngày 11 đến ngày 16 tháng 6 năm 2023 tại Kyoto, Nhật Bản. Trong sự kiện ngành công nghiệp chip, nhà sản xuất chip Hàn Quốc sẽ trình bày chi tiết các quy trình 3nm thế hệ thứ hai và 4nm thế hệ thứ tư của mình.
Cả hai quy trình mới này đều quan trọng đối với Samsung Foundry vì chúng sẽ giúp hãng thu hút được nhiều khách hàng hơn. Quy trình 4nm của công ty được sử dụng để chế tạo chipset Exynos 2200 và Snapdragon 8 Gen 1 đã bị chỉ trích rất nhiều vì nó không hiệu quả bằng quy trình 4nm của TSMC - được sử dụng để sản xuất A16 của Apple, Snapdragon 8 Gen 2, Dimensity 9000 và GPU dòng RTX 4000 của Nvidia.
Chip được sản xuất bằng quy trình SF3 (3nm GAP) và SF4X (4nm EUV) của Samsung Foundry giúp mang lại hiệu suất, hiệu quả được cải thiện
![Samsung sẽ công bố quy trình chế tạo chip 3nm và 4nm cải tiến vào tháng 6 năm 2023]()
Quy trình sản xuất chip SF3 của Samsung Foundry sẽ sử dụng công nghệ 3nm GAP. Đây là phiên bản cải tiến của quy trình SF3E được sử dụng để sản xuất chip vào nửa cuối năm 2022. Quy trình mới sẽ dựa trên bóng bán dẫn GAA (Gate All Around) cải tiến của Samsung - cái mà công ty gọi là MBCFET (Bóng bán dẫn hiệu ứng trường đa kênh). Quy trình này hứa hẹn sẽ tối ưu hóa hơn nữa, tuy nhiên công ty đã không so sánh trực tiếp với quy trình 3nm thế hệ đầu tiên của mình.
So với SF4 (4nm EUV LPP), SF3 được cho là nhanh hơn 22% ở cùng công suất và tiết kiệm điện hơn 34% ở cùng tốc độ xung nhịp và số lượng bóng bán dẫn. Nó cũng được cho là sẽ có khu vực logic nhỏ hơn 21%. Trong nhiều năm, một trong những ưu điểm chính của quy trình GAA được cho là thay đổi độ rộng kênh nanosheet trong cùng loại tế bào, và Samsung Foundry cho biết quy trình SF3 của họ sẽ hỗ trợ điều đó. Điều đó có thể có nghĩa là SF3E (quy trình 3nm thế hệ đầu tiên) không hỗ trợ đầy đủ tính năng này.
Tiến trình 3nm thế hệ thứ hai của Samsung có thể dùng cho Exynos 2500 và Snapdragon 8 Gen 4
![Samsung sẽ công bố quy trình chế tạo chip 3nm và 4nm cải tiến vào tháng 6 năm 2023]()
Thông thường, các quy trình sản xuất chip thế hệ đầu tiên của Samsung không được sử dụng rộng rãi, trong khi đó các thế hệ sau lại được nhiều hãng chip khác nhau sử dụng. Theo lịch sử của Samsung Foundry, công nghệ chế tạo chip 3nm thế hệ thứ hai của họ có thể được sử dụng bởi ít nhất một khách hàng chip lớn. Một số tin đồn cho rằng Exynos 2500 và Snapdragon 8 Gen 4 có thể sử dụng quy trình SF3 này.
Trong khi đó, quy trình 4nm thế hệ thứ tư của công ty Hàn Quốc được thiết kế để sử dụng cho các ứng dụng điện toán hiệu suất cao như CPU máy chủ và GPU, giúp mang lại hiệu suất tăng 10% và hiệu quả năng lượng được cải thiện 23% so với SF4 (4nm thế hệ thứ hai). Quy trình mới này sẽ cạnh tranh với các quy trình N4P (4nm thế hệ thứ hai) và N4X (4nm thế hệ thứ ba) của TSMC, sẽ ra mắt lần lượt vào năm 2024 và 2025.
Theo AnandTech, SF4X của Samsung Foundry là quy trình đầu tiên của công ty trong những năm gần đây được xây dựng với tính toán hiệu năng cao, điều đó có thể có nghĩa là họ đang mong đợi nhu cầu tốt từ khách hàng của mình.
Bạn có kỳ vọng vào quy trình sản xuất chip mới này của Samsung? Hãy để lại ý kiến ở phần nhận xét bên dưới.
