Mới đây, Samsung Semiconductor đã tiết lộ “một loại DRAM đặc biệt” mà công ty tuyên bố là hoàn hảo dành cho AI di động (trí tuệ nhân tạo) và các ứng dụng chơi game. Nó được gọi là LLW DRAM, viết tắt của IO với độ trễ thấp.
Samsung ban đầu thông báo rằng họ đang phát triển LLW DRAM vào tháng 1 năm nay tại Tech day (Ngày công nghệ). Công ty cũng đã nói ngắn gọn về LLW vào tháng 10 tại Memory Tech Day (Ngày Công nghệ bộ nhớ), nơi công ty giới thiệu các giải pháp HBM3E Shinebolt và LPDDR5X CAMM2.
Và mới đây, Samsung đã nhắc nhở mọi người về chip LLW của mình thông qua một video. Samsung Semiconductor đã nhờ X (trước đây là Twitter) đăng một quảng cáo dài 44 giây để giới thiệu LLW DRAM.
![Dòng Galaxy S24 có thể tự hào về công nghệ LLW DRAM mới của Samsung dành cho AI]()
Đánh giá qua video này, thì giải pháp LLW thường nằm ngay bên cạnh CPU trên SoC, điều này là hợp lý khi đưa ra tuyên bố về “Độ trễ thấp” của nó. Tuy nhiên thật thú vị, khi video gợi ý rằng chip LLW sẽ hoạt động cùng với CPU thay vì thay thế hoàn toàn DRAM truyền thống.
![Dòng Galaxy S24 có thể tự hào về công nghệ LLW DRAM mới của Samsung dành cho AI]()
Dòng Galaxy S24 sẽ có LLW DRAM?
Hiện vẫn chưa rõ chính xác khi nào LLW DRAM sẽ được sử dụng trên chipset Samsung, nhưng rất có thể dòng Galaxy S24 sẽ là smartphone đầu tiên sử dụng công nghệ này.
Samsung đã chuẩn bị các tính năng AI mới cho chiếc smartphone cao cấp tiếp theo, bao gồm cả AI Live Translate Call - tính năng mà công ty xác nhận sẽ ra mắt vào đầu năm tới. Và Samsung còn được cho là sẽ giới thiệu dòng S24 như một “điện thoại AI”. Sau tất cả, có lẽ dòng Galaxy S24 cũng sẽ được dùng làm bệ phóng cho LLW DRAM.
Samsung được cho là sẽ ra mắt dòng điện thoại hàng đầu tiếp theo tại San Jose vào ngày 17 tháng 1. Hãy cùng chờ xem những thông tin cập nhật mới nhất từ chúng tôi nhé.
